深圳市泰利科科技有限公司

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美国万代AOS AO4419 MOS场效应管
美国万代AOS AO4419 MOS场效应管
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美国万代AOS AO4419 MOS场效应管

型号/规格:

AO4419

品牌/商标:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

封装形式:

贴片SOP-8

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

贴片式

包装方式:

卷带编带包装

功率特征:

小功率

FET 类型:

P 沟道

漏源电压(Vdss):

30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):

9.7A(Ta)

驱动电压( Rds On, Rds On):

4.5V,10V

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产品信息

泰利電子(深圳)科技有限公司產品简介 深圳泰利電子主要致力於電子元件的貿易銷售,成立於2009年,是較早的品牌元件經銷商之一. 主要代理產品線有塲效應管(MOS-FET),可控硅(IGBT),二/三極管(DIODE/TRANSISTOR),貼片電阻/電容(Resistor/capacitor). 代理品牌: AOS NXP VISHAY STM FAIRCHILD IOR TOSHIBA 


美国万代AOS AO4419 MOS场效应管

美国万代AOS AO4419 MOS场效应管

美国万代AOS AO4419 MOS场效应管

美国万代AOS AO4419 MOS场效应管

数据列表AO4419

标准包装  3,000  

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列-

规格FET 类型P 沟道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)9.7A(Ta)

驱动电压( Rds On, Rds On)4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)20 毫欧 @ 9.7A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值)2.7V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)32nC @ 10V

Vgs(值)±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)1900pF @ 15V

FET 功能-

功率耗散(值)3.1W(Ta)

工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型表面贴装

供应商器件封装8-SOIC

封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)