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产品分类
AOC3864 20V19A 共漏极双N沟道
AOC3864
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DFN-6
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
2 N 沟道(双)共漏
标准
1.3V @ 250μA
38nC @ 4.5V
2.4W
产品信息
AOC3864 20V19A 共漏极双N沟道
AOC3864 20V19A 共漏极双N沟道
AOC3864 20V19A 共漏极双N沟道
AOC3864 20V19A 共漏极双N沟道
AOC3864 20V19A 共漏极双N沟道
数据列表AOC3864;
标准包装 5,000
包装 标准卷带
零件状态停產
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
系列AlphaMOS
规格FET 类型2 N 沟道(双)共漏
FET 功能标准
漏源电压(Vdss)-
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)-
不同 Id 时的 Vgs(th)(值)1.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)38nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)-
功率 - 值2.4W
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳6-XDFN
供应商器件封装6-DFN (2.7x1.8)