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产品信息
AON6416 场效应管 DFN-8
AON6416 场效应管 DFN-8
AON6416 场效应管 DFN-8
数据列表AON6416;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列SDMOS™
规格FET 类型N 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）14A（Ta），22A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）28nC @ 10V
Vgs（值）±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）1430pF @ 15V
FET 功能-
功率耗散（值）2.4W（Ta），31W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装8-DFN（5x6）
封装/外壳8-PowerSMD，扁平引线