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产品信息
美国万代AOS AO7412 场效应管
美国万代AOS AO7412 场效应管
美国万代AOS AO7412 场效应管
数据列表AO7412;
SC70-6L Pkg Drawing;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列-
规格FET 类型N 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）1.7A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On）2.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）90 毫欧 @ 2.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）1.8V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）3.6nC @ 4.5V
Vgs（值）±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）270pF @ 15V
FET 功能-
功率耗散（值）350mW（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装SC-70-6
封装/外壳6-TSSOP，SC-88，SOT-363