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产品分类
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AOS美国万代 AON2406 DFN
型号/规格：
AON2406
品牌/商标：
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
封装形式：
DFN2*2
环保类别：
无铅环保型
安装方式：
贴片式
包装方式：
卷带编带包装
功率特征：
小功率
FET 类型：
N 沟道
漏源电压（Vdss）：
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
8A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On）：
1.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：
12.5 毫欧 @ 8A，4.5V
产品信息
AOS美国万代 AON2406 DFN
AOS美国万代 AON2406 DFN
AOS美国万代 AON2406 DFN
AOS美国万代 AON2406 DFN
数据列表AON2406;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列-
规格FET 类型N 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）8A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On）1.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）12.5 毫欧 @ 8A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）18nC @ 4.5V
Vgs（值）±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）1140pF @ 10V
FET 功能-
功率耗散（值）2.8W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装6-DFN-EP（2x2）
封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘