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产品分类
SI7336ADP-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 30A
SI7336ADP-T1-E3
Vishay Siliconix
QFN-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
N 沟道
30V
30A(Ta)
4.5V,10V
3 毫欧 @ 25A,10V
产品信息
SI7336ADP-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 30A
SI7336ADP-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 30A
SI7336ADP-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 30A
数据列表SI7336ADP;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列TrenchFET®
规格FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)30A(Ta)
驱动电压( Rds On, Rds On)4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)3 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值)3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)50nC @ 4.5V
Vgs(值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)5600pF @ 15V
FET 功能-
功率耗散(值)5.4W(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装PowerPAK® SO-8
封装/外壳PowerPAK® SO-8