AON7702A 30V 36A N-CH_深圳市泰利科科技有限公司

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集成电路(IC)(1)

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稳压IC(1)

半导体存储器(1)

ROM（只读存储器）(1)

场效应管MOSFET(16)

MOSFET(16)

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AON7702A 30V 36A N-CH

AON7702A 30V 36A N-CH

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AON7702A 30V 36A N-CH

型号/规格：

AON7702A

品牌/商标：

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

封装形式：

DFN3*3

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

贴片式

包装方式：

卷带编带包装

功率特征：

小功率

FET 类型：

N 沟道

漏源电压（Vdss）：

30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

13.5A（Ta），36A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）：

4.5V，10V

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产品信息

AON7702A 30V 36A N-CH

AON7702A 30V 36A N-CH

AON7702A 30V 36A N-CH

AON7702A 30V 36A N-CH

数据列表AON7702A;

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列SRFET™

规格FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）13.5A（Ta），36A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）10 毫欧 @ 13A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（值）24nC @ 10V

Vgs（值）±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）1400pF @ 15V

FET 功能肖特基二极管（体）

功率耗散（值）3.1W（Ta），23W（Tc）

工作温度-55°C ~ 155°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装8-DFN（3x3）

封装/外壳8-PowerVDFN