AON6428L N沟道 30V 11A DFN56_深圳市泰利科科技有限公司

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半导体存储器(1)

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AON6428L N沟道 30V 11A DFN56

AON6428L N沟道 30V 11A DFN56

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AON6428L N沟道 30V 11A DFN56

型号/规格：

AON6428L

品牌/商标：

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

封装形式：

DFN5X6

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

贴片式

包装方式：

卷带编带包装

功率特征：

小功率

FET 类型：

N 沟道

漏源电压（Vdss）：

30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

11A（Ta），43A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）：

4.5V，10V

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产品信息

AON6428L N沟道 30V 11A DFN56

AON6428L N沟道 30V 11A DFN56

AON6428L N沟道 30V 11A DFN56

标准包装 3,000

包装标准卷带

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列-

规格FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）11A（Ta），43A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）10 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（值）17.8nC @ 10V

Vgs（值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）770pF @ 15V

FET 功能-

功率耗散（值）2W（Ta），30W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装8-DFN（5x6）

封装/外壳8-PowerSMD，扁平引线