- 非IC关键词
深圳市英特翎科技有限公司
- 卖家积分：
营业执照：已审核经营模式：贸易/代理/分销所在地区：广东 深圳企业网站：
http://www.interine.com/ad
收藏本公司 人气：788474
企业档案
- 相关证件：
- 会员类型：
- 会员年限：11年
- 陈先生
- 电话：0755-83299553
- 手机：15712006850
- 阿库IM：
- 地址：深圳市华强北新亚洲电子商城一期6楼628室
- 传真：0755-8399962
- E-mail：nikki-wxp@interine.com
您的当前位置：深圳市英特翎科技有限公司 > 元器件产品
询价相关产品
产品信息
型号DMN65D8LDW-7
DMN65D8LDW-7
DMN65D8LDW-7
DMN65D8LDW-7
类别 分立半导体产品
晶体管FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
6 欧姆 @ 115mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
0.87nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
22pF @ 25V
功率 - 大值
300mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
SOT-363
基本产品编号
DMN65
类别 分立半导体产品
晶体管FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
6 欧姆 @ 115mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
0.87nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
22pF @ 25V
功率 - 大值
300mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
SOT-363
基本产品编号
DMN65
类别 分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
6 欧姆 @ 115mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
0.87nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
22pF @ 25V
功率 - 大值
300mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
SOT-363
基本产品编号
DMN65
