深圳市泰利科科技有限公司

AOS/美国万代 AO4296 SOP-8 低压 贴片

型号/规格:AO4296 品牌/商标:Alpha & Omega Semiconductor Inc. 封装形式:SOP-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N 沟道 漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13.5A（Ta） 驱动电压（ Rds On， Rds On）:4.5V，10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）:8.3 毫欧 @ 13.5A, 10V

AON6428L N沟道 30V 11A DFN56

型号/规格:AON6428L 品牌/商标:Alpha & Omega Semiconductor Inc. 封装形式:DFN5X6 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N 沟道 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Ta），43A（Tc） 驱动电压（ Rds On， Rds On）:4.5V，10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）:10 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）:17.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（C

AON7702A 30V 36A N-CH

型号/规格:AON7702A 品牌/商标:Alpha & Omega Semiconductor Inc. 封装形式:DFN3*3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N 沟道 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13.5A（Ta），36A（Tc） 驱动电压（ Rds On， Rds On）:4.5V，10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）:10 毫欧 @ 13A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（

SI7336ADP-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 30A

型号/规格:SI7336ADP-T1-E3 品牌/商标:Vishay Siliconix 封装形式:QFN-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型 :N 沟道 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Ta） 驱动电压（ Rds On， Rds On）:4.5V，10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）:3 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）:50nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）:5

AON6932 MOSFET 2N-CH 30V 22A/36A 8DFN

型号/规格:AON6932 品牌/商标:Alpha & Omega Semiconductor Inc. 封装形式:DFN5*6 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:2 个 N 通道（半桥 FET 功能:逻辑电平门 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A，36A 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（值） :2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）:22nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）:1037pF

美国万代AOS AO4419 MOS场效应管

型号/规格:AO4419 品牌/商标:Alpha & Omega Semiconductor Inc. 封装形式:贴片SOP-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:P 沟道 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9.7A（Ta） 驱动电压（ Rds On， Rds On）:4.5V，10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）:20 毫欧 @ 9.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）:32nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最

AOS美国万代 AON2406 DFN

型号/规格:AON2406 品牌/商标:Alpha & Omega Semiconductor Inc. 封装形式:DFN2*2 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N 沟道 漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Ta） 驱动电压（ Rds On， Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）:12.5 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）:18nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）:11

美国万代AOS AO7412 场效应管

型号/规格:AO7412 品牌/商标:Alpha & Omega Semiconductor Inc. 封装形式:SC-70-6L 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N 沟道 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.7A（Ta） 驱动电压（ Rds On， Rds On）:2.5V，10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）:90 毫欧 @ 2.1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）:3.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最

AON6416 场效应管 DFN-8

型号/规格:AON6416 品牌/商标:Alpha & Omega Semiconductor Inc. 封装形式:DFN5*6 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N 沟道 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Ta），22A（Tc） 驱动电压（ Rds On， Rds On）:4.5V，10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）:8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（值）:2.4V @ 250μ 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）:28nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（

AON6514 AOS美国万代 30V

型号/规格:AON6514 品牌/商标:Alpha & Omega Semiconductor Inc. 封装形式:DFN5X6 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N 沟道 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A（Ta），30A（Tc） 驱动电压（ Rds On， Rds On）:4.5V，10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）:22.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（

AOC3864 20V19A 共漏极双N沟道

型号/规格:AOC3864 品牌/商标:Alpha & Omega Semiconductor Inc. 封装形式:DFN-6 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:2 N 沟道（双）共漏 FET 功能:标准 不同 Id 时的 Vgs（th）（值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）:38nC @ 4.5V 功率 - 值:2.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）

AON6920 贴片 DFN-8 电源IC芯片

型号/规格:AON6920 品牌/商标:Alpha & Omega Semiconductor Inc. 封装形式:DFN5X6 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型 :2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能:标准 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A，26.5A 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）:5.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）:1560pF @ 15

场效应MOS管AON6426 30V 65A

型号/规格:AON6426 品牌/商标:Alpha & Omega Semiconductor Inc. 封装形式:DFN5X6 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N 沟道 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Ta），65A（Tc） 驱动电压（ Rds On， Rds On）:4.5V，10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）:5.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）:45nC @ 10V Vgs（值）:±20V

美国万代AOS AO4884 原装现货

型号/规格:AO4884 SOP-8 品牌/商标:Alpha & Omega Semiconductor Inc. 封装形式:SOP-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门 漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）:13 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）:33nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）:不同 Vds 时的输入

TPH1R712MD 大电流低内阻MOS

型号/规格:TPH1R712MD SOP-8 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:SOP-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 安装风格:SMD/SMT 工作温度::+ 150 C

供应原装美国万代AOS AON6360 DFN5*6 N管 30V85A MOS场效应管

型号/规格:AON6360 DFN5*6 品牌/商标:AOS 封装形式:DFN5*6 环保类别:普通型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率